casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N6052
codice articolo del costruttore | JANTXV2N6052 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6052 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/501 |
JANTXV2N6052 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6052 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N6052-FT |
JANTX2N5015
Microsemi Corporation
JANTX2N5015S
Microsemi Corporation
JANTX2N5038
Microsemi Corporation
JANTX2N5039
Microsemi Corporation
JANTX2N5302
Microsemi Corporation
JANTX2N5416U4
Microsemi Corporation
JANTX2N5416UA
Microsemi Corporation
JANTX2N5660
Microsemi Corporation
JANTX2N5661
Microsemi Corporation
JANTX2N5662
Microsemi Corporation
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation