casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N5416U4
codice articolo del costruttore | JANTX2N5416U4 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N5416U4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTX2N5416U4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | U4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N5416U4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N5416U4-FT |
JAN2N6546
Microsemi Corporation
JAN2N6547
Microsemi Corporation
JAN2N657
Microsemi Corporation
JAN2N657S
Microsemi Corporation
JAN2N697
Microsemi Corporation
JAN2N706
Microsemi Corporation
JAN2N708
Microsemi Corporation
JAN2N718A
Microsemi Corporation
JAN2N7370
Microsemi Corporation
JAN2N7372
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation