casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6300
codice articolo del costruttore | JAN2N6300 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6300 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/539 |
JAN2N6300 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
Potenza - Max | 75W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 (TO-213AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6300 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6300-FT |
JANTX2N3499
Microsemi Corporation
JANTX2N3499L
Microsemi Corporation
JANTX2N3500L
Microsemi Corporation
JANTX2N3501L
Microsemi Corporation
JANTX2N3635
Microsemi Corporation
JANTX2N3635L
Microsemi Corporation
JANTX2N3637L
Microsemi Corporation
JANTX2N3737UB
Microsemi Corporation
JANTX2N4033UB
Microsemi Corporation
JANTX2N4449
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel