casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5416UA
codice articolo del costruttore | JANTXV2N5416UA |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N5416UA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTXV2N5416UA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5416UA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N5416UA-FT |
JANTX2N4931
Microsemi Corporation
JANTX2N5002
Microsemi Corporation
JANTX2N5003
Microsemi Corporation
JANTX2N5004
Microsemi Corporation
JANTX2N5012
Microsemi Corporation
JANTX2N5012S
Microsemi Corporation
JANTX2N5013
Microsemi Corporation
JANTX2N5013S
Microsemi Corporation
JANTX2N5014
Microsemi Corporation
JANTX2N5014S
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel