casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3960
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3960 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3960 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/399 |
JANTXV2N3960 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 400mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3960 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3960-FT |
JANTX2N3440UA
Microsemi Corporation
JANTX2N3441
Microsemi Corporation
JANTX2N3584
Microsemi Corporation
JANTX2N3585
Microsemi Corporation
JANTX2N3634
Microsemi Corporation
JANTX2N3634L
Microsemi Corporation
JANTX2N3634UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3635UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3636L
Microsemi Corporation
JANTX2N3636UB
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel