casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3960
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3960 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3960 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/399 |
JANTXV2N3960 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 400mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3960 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3960-FT |
JANTX2N3440UA
Microsemi Corporation
JANTX2N3441
Microsemi Corporation
JANTX2N3584
Microsemi Corporation
JANTX2N3585
Microsemi Corporation
JANTX2N3634
Microsemi Corporation
JANTX2N3634L
Microsemi Corporation
JANTX2N3634UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3635UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3636L
Microsemi Corporation
JANTX2N3636UB
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel