casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JANTXV2N3810L
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3810L |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3810L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JANTXV2N3810L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3810L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3810L-FT |
SLA4390
Sanken
SLA6012
Sanken
VT6X1T2R
Rohm Semiconductor
MP6Z13TR
Rohm Semiconductor
PHPT610030NPKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610035NKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610030PKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610035PKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610030NKX
Nexperia USA Inc.
BC847RAPNZ
Nexperia USA Inc.
XC3S700A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XCV200E-6FG456C
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PL68
Microsemi Corporation
EP3C10U256C7
Intel
5SGXEA5K2F40I2L
Intel
EP1M350F780C5
Intel
5SGXEABN3F45C3N
Intel
LFE2-35SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel