codice articolo del costruttore | SLA6012 |
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Numero di parte futuro | FT-SLA6012 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SLA6012 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 5W, 25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 12-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 12-SIP w/fin |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SLA6012 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SLA6012-FT |
CMLT3904EG TR
Central Semiconductor Corp
CMLT2907A TR
Central Semiconductor Corp
CMLT3904E TR
Central Semiconductor Corp
CMLT5088EM TR
Central Semiconductor Corp
CMLT3906E TR
Central Semiconductor Corp
CMLT2222AG TR
Central Semiconductor Corp
CMLT5087E TR
Central Semiconductor Corp
CMLT5551 TR
Central Semiconductor Corp
CMLT5087EM TR
Central Semiconductor Corp
CMLT2222AG BK
Central Semiconductor Corp
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel