casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3019S
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3019S |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3019S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/391 |
JANTXV2N3019S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3019S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3019S-FT |
PBSS4140T,235
Nexperia USA Inc.
PBSS4230T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS4320T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5130T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5160T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5250T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5250THR
Nexperia USA Inc.
PBSS5350THR
Nexperia USA Inc.
PMBS3906,215
Nexperia USA Inc.
PMBS3906,235
Nexperia USA Inc.
XC6SLX25-2FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG676C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FF1517I
Xilinx Inc.
EP20K600CB672C8N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
M1AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I5N
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel