casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3595UR-1
codice articolo del costruttore | 1N3595UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3595UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3595UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3595UR-1-FT |
JANTX1N6638
Microsemi Corporation
JANTX1N4500
Microsemi Corporation
JANTX1N4153-1
Microsemi Corporation
JANS1N6642
Microsemi Corporation
JANTX1N3595-1
Microsemi Corporation
JANS1N6640
Microsemi Corporation
JANTX1N486B
Microsemi Corporation
JANS1N3595-1
Microsemi Corporation
JAN1N4454-1
Microsemi Corporation
JANTX1N4148-1
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
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LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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