casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APT15D100BG
codice articolo del costruttore | APT15D100BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT15D100BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT15D100BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 260ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15D100BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT15D100BG-FT |
PMEG2020AEA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4005CEAX
Nexperia USA Inc.
PMEG4010BEA,135
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CEAX
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAS70-04WF
Nexperia USA Inc.
PMEG2005AEA/DG,115
Nexperia USA Inc.
PMEG060V100EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045V100EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045V050EPDZ
Nexperia USA Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel