casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5419US
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5419US |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5419US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JANTXV1N5419US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5419US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5419US-FT |
JANTX1N5711UR-1/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5802URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5804URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5806URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5807URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5809URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5811/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5811URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5812
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel