casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N4246
codice articolo del costruttore | JANTXV1N4246 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N4246 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/286 |
JANTXV1N4246 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N4246 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N4246-FT |
JANS1N6662US
Microsemi Corporation
JANTX1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6662US
Microsemi Corporation
SDM30004
Microsemi Corporation
1N6392
Microsemi Corporation
S30760
Microsemi Corporation
S3480
Microsemi Corporation
SBR6030L
Microsemi Corporation
SBR60100
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel