codice articolo del costruttore | S30760 |
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Numero di parte futuro | FT-S30760 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S30760 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 85A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S30760 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S30760-FT |
PMEG040V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG040V050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG060V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG100V080ELPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG45A10EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T100EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T150EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T150EPDZ
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel