codice articolo del costruttore | S30760 |
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Numero di parte futuro | FT-S30760 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S30760 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 85A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S30760 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S30760-FT |
PMEG040V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG040V050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG060V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG100V080ELPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG45A10EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T100EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T150EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T150EPDZ
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation