casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N7370
codice articolo del costruttore | JAN2N7370 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N7370 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/624 |
JAN2N7370 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 100W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N7370 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N7370-FT |
HCT2222ATX
TT Electronics/Optek Technology
HCT2222ATXV
TT Electronics/Optek Technology
HD1A3M(0)-T1-AZ
Renesas Electronics America
JAN2N1016B
Microsemi Corporation
JAN2N1016C
Microsemi Corporation
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
Microsemi Corporation
JAN2N1485
Microsemi Corporation
JAN2N1486
Microsemi Corporation
JAN2N1489
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel