casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N5819-1
codice articolo del costruttore | JANTX1N5819-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N5819-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JANTX1N5819-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5819-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N5819-1-FT |
APT40DQ60BG
Microsemi Corporation
APT30DQ60BG
Microsemi Corporation
APT60S20BG
Microsemi Corporation
APT30S20BG
Microsemi Corporation
APT60D60BG
Microsemi Corporation
APT75DQ60BG
Microsemi Corporation
MSC020SDA120B
Microsemi Corporation
APT30DQ100BG
Microsemi Corporation
APT60D100BG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BG
Microsemi Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel