casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APT30DQ120BG
codice articolo del costruttore | APT30DQ120BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT30DQ120BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT30DQ120BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 320ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30DQ120BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT30DQ120BG-FT |
BAS321,135
Nexperia USA Inc.
BAS321/8F
Nexperia USA Inc.
BAS321/8X
Nexperia USA Inc.
BAS321JF
Nexperia USA Inc.
BAS321JX
Nexperia USA Inc.
BAS321Z
Nexperia USA Inc.
BAS416,115
Nexperia USA Inc.
BAS416F
Nexperia USA Inc.
BAS416Z
Nexperia USA Inc.
BAT165AX
Nexperia USA Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel