casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANSF2N2222AL
codice articolo del costruttore | JANSF2N2222AL |
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Numero di parte futuro | FT-JANSF2N2222AL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/255 |
JANSF2N2222AL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSF2N2222AL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANSF2N2222AL-FT |
JAN2N3636
Microsemi Corporation
JAN2N3636L
Microsemi Corporation
JAN2N3636UB
Microsemi Corporation
JAN2N3700UB
Microsemi Corporation
JAN2N3715
Microsemi Corporation
JAN2N3741
Microsemi Corporation
JAN2N3762
Microsemi Corporation
JAN2N3764
Microsemi Corporation
JAN2N3772
Microsemi Corporation
JAN2N3791
Microsemi Corporation
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
5AGXBB3D4F35I5G
Intel
5AGXFA7H4F35I3N
Intel