casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3636
codice articolo del costruttore | JAN2N3636 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3636 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3636 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3636 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3636-FT |
CP547-PMD19K100-CT
Central Semiconductor Corp
CP547-PMD19K100-WN
Central Semiconductor Corp
CP547-PMD19K100-WS
Central Semiconductor Corp
CP647-2N6287-CM
Central Semiconductor Corp
CP647-2N6287-CT
Central Semiconductor Corp
CP647-2N6287-WN
Central Semiconductor Corp
CP647-CEN1103-CT
Central Semiconductor Corp
CP647-CEN1103-WN
Central Semiconductor Corp
CP647-CEN1103-WS
Central Semiconductor Corp
CP647-MJ11013-CT
Central Semiconductor Corp
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel