casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANSF2N2221AUB
codice articolo del costruttore | JANSF2N2221AUB |
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Numero di parte futuro | FT-JANSF2N2221AUB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/255 |
JANSF2N2221AUB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSF2N2221AUB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANSF2N2221AUB-FT |
JAN2N3634UB
Microsemi Corporation
JAN2N3636
Microsemi Corporation
JAN2N3636L
Microsemi Corporation
JAN2N3636UB
Microsemi Corporation
JAN2N3700UB
Microsemi Corporation
JAN2N3715
Microsemi Corporation
JAN2N3741
Microsemi Corporation
JAN2N3762
Microsemi Corporation
JAN2N3764
Microsemi Corporation
JAN2N3772
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel