casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N3499L/TR
codice articolo del costruttore | JANS2N3499L/TR |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N3499L/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/366 |
JANS2N3499L/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N3499L/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N3499L/TR-FT |
JAN2N1489
Microsemi Corporation
JAN2N1613
Microsemi Corporation
JAN2N1711
Microsemi Corporation
JAN2N2218A
Microsemi Corporation
JAN2N2222AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2432
Microsemi Corporation
JAN2N2432A
Microsemi Corporation
JAN2N2906AL
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JAN2N3250A
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JAN2N3251A
Microsemi Corporation
XC4003E-4PQ100I
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XC6SLX150-N3FGG676C
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XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
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10AX027H3F34I2LG
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5SGXEA7H3F35C2LN
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5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
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XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation