casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N3439UA
codice articolo del costruttore | JANS2N3439UA |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N3439UA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/368 |
JANS2N3439UA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N3439UA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N3439UA-FT |
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
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JAN2N1485
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XC7K420T-1FFG901C
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10M04SCU324C8G
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