casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANS1N5816
codice articolo del costruttore | JANS1N5816 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS1N5816 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JANS1N5816 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5816 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS1N5816-FT |
JAN1N1186
Microsemi Corporation
JAN1N1186R
Microsemi Corporation
JAN1N1188R
Microsemi Corporation
JAN1N1190
Microsemi Corporation
JAN1N1190R
Microsemi Corporation
JAN1N1202A
Microsemi Corporation
JAN1N1202AR
Microsemi Corporation
JAN1N1204A
Microsemi Corporation
JAN1N1204AR
Microsemi Corporation
JAN1N1206A
Microsemi Corporation
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel