casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N1202A
codice articolo del costruttore | JAN1N1202A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N1202A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/260 |
JAN1N1202A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 38A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N1202A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N1202A-FT |
HS246150R
Microsemi Corporation
HS247180R
Microsemi Corporation
HS247200R
Microsemi Corporation
HU10260R
Microsemi Corporation
HU20260R
Microsemi Corporation
IDB06S60CATMA2
Infineon Technologies
IDC04S60CEX1SA1
Infineon Technologies
IDC04S60CEX7SA1
Infineon Technologies
IDC05S60CEX1SA1
Infineon Technologies
IDC08S120EX1SA3
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel