casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N4150
codice articolo del costruttore | JANTXV2N4150 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N4150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JANTXV2N4150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N4150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N4150-FT |
BCW33,215
Nexperia USA Inc.
BCW60B,235
Nexperia USA Inc.
BCW60C,215
Nexperia USA Inc.
BCW60C,235
Nexperia USA Inc.
BCW60D,215
Nexperia USA Inc.
BCW60D,235
Nexperia USA Inc.
BCW61C,215
Nexperia USA Inc.
BCW61C,235
Nexperia USA Inc.
BCW66GR
Nexperia USA Inc.
BCW66GVL
Nexperia USA Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel