casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3499
codice articolo del costruttore | JANTX2N3499 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3499 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/366 |
JANTX2N3499 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3499 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3499-FT |
JANSH2N2222A
Microsemi Corporation
JANSR2N2221AUB
Microsemi Corporation
JANSR2N2222AUB
Microsemi Corporation
JANSR2N2907AUB
Microsemi Corporation
JANSR2N3440
Microsemi Corporation
JANSR2N3700UB
Microsemi Corporation
JANSR2N5152U3
Microsemi Corporation
JANSR2N5153
Microsemi Corporation
JANSR2N5153U3
Microsemi Corporation
DSS5220TQ-13
Diodes Incorporated
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel