casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6059
codice articolo del costruttore | JAN2N6059 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6059 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/502 |
JAN2N6059 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA (TO-3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6059 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6059-FT |
JANTX2N2906AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2946A
Microsemi Corporation
JANTX2N3498L
Microsemi Corporation
JANTX2N3499
Microsemi Corporation
JANTX2N3499L
Microsemi Corporation
JANTX2N3500L
Microsemi Corporation
JANTX2N3501L
Microsemi Corporation
JANTX2N3635
Microsemi Corporation
JANTX2N3635L
Microsemi Corporation
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel