casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6058
codice articolo del costruttore | JAN2N6058 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6058 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/502 |
JAN2N6058 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6058 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6058-FT |
JANTX2N2904AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUB
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JANTX2N2946A
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JANTX2N3498L
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JANTX2N3499
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JANTX2N3499L
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JANTX2N3500L
Microsemi Corporation
JANTX2N3501L
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JANTX2N3635
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A3P060-VQG100T
Microsemi Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX30CF23C6
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EP4CE6F17A7N
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EP3C10U256C8
Intel
5SGXEA5K1F40I2N
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
A42MX09-TQ176
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LFE2-35E-5F672C
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