casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3637UB
codice articolo del costruttore | JAN2N3637UB |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3637UB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3637UB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3637UB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3637UB-FT |
2SC4300
Sanken
2SC4388
Sanken
2SC4445
Sanken
2SC5099
Sanken
2SC5101
Sanken
2SD2045
Sanken
2SD2082
Sanken
2SD2438
Sanken
2SD2439
Sanken
2SD2562
Sanken
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel