casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3735L
codice articolo del costruttore | JAN2N3735L |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3735L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/395 |
JAN2N3735L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 1.5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3735L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3735L-FT |
JANTXV2N3439
Microsemi Corporation
JANTXV2N3440
Microsemi Corporation
JANTXV2N6193
Microsemi Corporation
JANTXV2N3637
Microsemi Corporation
JANTXV2N1613L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N5109
Microsemi Corporation
JAN2N2219A
Microsemi Corporation
JANTX2N2219A
Microsemi Corporation
JAN2N3019S
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel