casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2219A
codice articolo del costruttore | JAN2N2219A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2219A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/251 |
JAN2N2219A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2219A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2219A-FT |
PMBTA06,215
Nexperia USA Inc.
PMBTA06,235
Nexperia USA Inc.
PMBTA13,215
Nexperia USA Inc.
PMBTA42,185
Nexperia USA Inc.
PMBTA42,215
Nexperia USA Inc.
PMBTA42,235
Nexperia USA Inc.
PMBTA44,215
Nexperia USA Inc.
PMBTA56,235
Nexperia USA Inc.
PMBTA64,215
Nexperia USA Inc.
PMBTA92,235
Nexperia USA Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel