casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2905AL
codice articolo del costruttore | JAN2N2905AL |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2905AL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/290 |
JAN2N2905AL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2905AL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2905AL-FT |
JANTX2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5153
Microsemi Corporation
JANTXV2N3439
Microsemi Corporation
JANTXV2N3440
Microsemi Corporation
JANTXV2N6193
Microsemi Corporation
JANTXV2N3637
Microsemi Corporation
JANTXV2N1613L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N5109
Microsemi Corporation
JAN2N2219A
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel