codice articolo del costruttore | 2N5877 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5877 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N5877 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5877 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5877-FT |
2N3868S
Microsemi Corporation
2N3879
Microsemi Corporation
2N3902
Microsemi Corporation
2N3998
Microsemi Corporation
2N3999
Microsemi Corporation
2N4033UA
Microsemi Corporation
2N4150
Microsemi Corporation
2N4150S
Microsemi Corporation
2N4232A
Microsemi Corporation
2N4233
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel