casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6844U3
codice articolo del costruttore | JAN1N6844U3 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6844U3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/679 |
JAN1N6844U3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 600pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | U3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6844U3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6844U3-FT |
IRKE91/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N1184
Microsemi Corporation
JAN1N1186
Microsemi Corporation
JAN1N1186R
Microsemi Corporation
JAN1N1188R
Microsemi Corporation
JAN1N1190
Microsemi Corporation
JAN1N1190R
Microsemi Corporation
JAN1N1202A
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
Intel