casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6155
codice articolo del costruttore | JAN1N6155 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6155 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6155 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 27.4V |
Voltage - Breakdown (Min) | 32.49V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 52.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 28.6A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6155 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6155-FT |
JAN1N6126A
Microsemi Corporation
JAN1N6126AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6126US
Microsemi Corporation
JAN1N6127
Microsemi Corporation
JAN1N6127A
Microsemi Corporation
JAN1N6127AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6127US
Microsemi Corporation
JAN1N6128
Microsemi Corporation
JAN1N6128A
Microsemi Corporation
JAN1N6128AUS
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation