casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6126AUS
codice articolo del costruttore | JAN1N6126AUS |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6126AUS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6126AUS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 51.7V |
Voltage - Breakdown (Min) | 64.6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 97.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 5.1A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6126AUS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6126AUS-FT |
JAN1N6057A
Microsemi Corporation
JAN1N6061A
Microsemi Corporation
JAN1N6069A
Microsemi Corporation
JAN1N6072A
Microsemi Corporation
JAN1N6100
Microsemi Corporation
JAN1N6101
Microsemi Corporation
JAN1N6103
Microsemi Corporation
JAN1N6103A
Microsemi Corporation
JAN1N6103AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6103US
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel