casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6152US
codice articolo del costruttore | JAN1N6152US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6152US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6152US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 20.6V |
Voltage - Breakdown (Min) | 24.42V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 39.27V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 38.1A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, C |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6152US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6152US-FT |
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
JAN1N6125
Microsemi Corporation
JAN1N6125A
Microsemi Corporation
JAN1N6125AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6125US
Microsemi Corporation
JAN1N6126
Microsemi Corporation
JAN1N6126A
Microsemi Corporation
JAN1N6126AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6126US
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation