casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6144
codice articolo del costruttore | JAN1N6144 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6144 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6144 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 9.1V |
Voltage - Breakdown (Min) | 10.83V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 17.75V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 84.36A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6144 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6144-FT |
JAN1N6118
Microsemi Corporation
JAN1N6118A
Microsemi Corporation
JAN1N6118AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6118US
Microsemi Corporation
JAN1N6119
Microsemi Corporation
JAN1N6119A
Microsemi Corporation
JAN1N6119AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6119US
Microsemi Corporation
JAN1N6120
Microsemi Corporation
JAN1N6120A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel