casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6119
codice articolo del costruttore | JAN1N6119 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6119 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6119 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 27.4V |
Voltage - Breakdown (Min) | 32.49V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 52.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 9.5A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6119 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6119-FT |
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
JAN1N5629A
Microsemi Corporation
JAN1N5632A
Microsemi Corporation
JAN1N5635A
Microsemi Corporation
JAN1N5637A
Microsemi Corporation
JAN1N5639A
Microsemi Corporation
JAN1N5640A
Microsemi Corporation
JAN1N5642A
Microsemi Corporation
JAN1N5644A
Microsemi Corporation
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
10CL080YF484I7G
Intel
EP3SL50F484I4LN
Intel
EP3CLS100U484C7N
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I4SGES
Intel