casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6103US
codice articolo del costruttore | JAN1N6103US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6103US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6103US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.7V |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.77V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 11.76V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 42.37A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6103US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6103US-FT |
ESD6100
ON Semiconductor
ESD6110
ON Semiconductor
ESD6116
ON Semiconductor
ESD8551N2T5G
ON Semiconductor
ESDAVLC6-5BU6
STMicroelectronics
ESDLC5V0K5-TP
Micro Commercial Co
GL05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC484-1X
Intel
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84
Microsemi Corporation
A42MX24-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3LG
Intel
EP3C55F780C7
Intel
EP4CE75F29I7
Intel