casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5816
codice articolo del costruttore | JAN1N5816 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5816 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JAN1N5816 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5816 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5816-FT |
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
IRD3CH42DD6
Infineon Technologies
IRD3CH42DF6
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IRD3CH53DB6
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IRD3CH53DD6
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IRD3CH53DF6
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IRD3CH5BD6
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IRD3CH5DB6
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IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
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XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
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A3P250-FGG256T
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
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5SGXMBBR3H43C2LN
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LCMXO3LF-2100E-6MG121I
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10AX066N2F40I1SG
Intel