casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IRD3CH42DB6
codice articolo del costruttore | IRD3CH42DB6 |
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Numero di parte futuro | FT-IRD3CH42DB6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRD3CH42DB6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 75A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 285ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.5µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH42DB6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRD3CH42DB6-FT |
GP3D030A060B
Global Power Technologies Group
GP3D050A060B
Global Power Technologies Group
GP3D050A120B
Global Power Technologies Group
GP3D060A120B
Global Power Technologies Group
GPA801-BP
Micro Commercial Co
GPA802-BP
Micro Commercial Co
GPA803-BP
Micro Commercial Co
GPA804-BP
Micro Commercial Co
GPA805-BP
Micro Commercial Co
GPA806-BP
Micro Commercial Co
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel