casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5807URS
codice articolo del costruttore | JAN1N5807URS |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5807URS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5807URS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5807URS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5807URS-FT |
IRD3CH24DD6
Infineon Technologies
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
IRD3CH31DB6
Infineon Technologies
IRD3CH31DD6
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IRD3CH31DF6
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IRD3CH42DB6
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IRD3CH42DD6
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IRD3CH42DF6
Infineon Technologies
IRD3CH53DB6
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IRD3CH53DD6
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XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
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AGL250V2-VQG100I
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EP4SGX290NF45C2
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5SGSMD5H3F35C2N
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LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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5SGSMD3H2F35I2LN
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