casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5621US
codice articolo del costruttore | JAN1N5621US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5621US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JAN1N5621US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5621US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5621US-FT |
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
IRD3CH24DD6
Infineon Technologies
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
IRD3CH31DB6
Infineon Technologies
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
IRD3CH42DD6
Infineon Technologies
IRD3CH42DF6
Infineon Technologies
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel