casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5618US
codice articolo del costruttore | JAN1N5618US |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN1N5618US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JAN1N5618US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5618US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5618US-FT |
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
IRD3CH24DD6
Infineon Technologies
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
IRD3CH31DB6
Infineon Technologies
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
IRD3CH42DD6
Infineon Technologies