casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N4458R
codice articolo del costruttore | JAN1N4458R |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N4458R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/162 |
JAN1N4458R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4458R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N4458R-FT |
IRD3CH101DB6
Infineon Technologies
IRD3CH101DD6
Infineon Technologies
IRD3CH101DF6
Infineon Technologies
IRD3CH11DB6
Infineon Technologies
IRD3CH11DD6
Infineon Technologies
IRD3CH11DF6
Infineon Technologies
IRD3CH16DB6
Infineon Technologies
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel