casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXXH50N60C3D1
codice articolo del costruttore | IXXH50N60C3D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXXH50N60C3D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
IXXH50N60C3D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 36A |
Potenza - Max | 600W |
Cambiare energia | 720µJ (on), 330µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 64nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/62ns |
Condizione di test | 360V, 36A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXXH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXH50N60C3D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXXH50N60C3D1-FT |
IXXX300N60B3
IXYS
IXYX30N170CV1
IXYS
IXXX200N60C3
IXYS
IXXX200N65B4
IXYS
IXBX25N250
IXYS
IXXX110N65B4H1
IXYS
IXYX140N90C3
IXYS
IXBX64N250
IXYS
IXBX75N170
IXYS
IXBX75N170A
IXYS
A40MX02-1VQ80
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7N
Intel
EP4SGX180KF40C2N
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5SGSED8K2F40I2LN
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5SGSMD4K1F40C2N
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XC4VLX40-10FF1148C
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XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation