casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBX25N250
codice articolo del costruttore | IXBX25N250 |
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Numero di parte futuro | FT-IXBX25N250 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBX25N250 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2500V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | 300W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 103nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.6µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBX25N250 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBX25N250-FT |
NGD8201NT4
ON Semiconductor
NGD8201NT4G
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NGD8205NT4
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NGTB03N60R2DT4G
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NGTB05N60R2DT4G
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NGTB10N60R2DT4G
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NGB8202ANT4G
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NGB8204ANT4G
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XC2S50-6PQG208C
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XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
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A42MX16-3PQG208I
Microsemi Corporation
XC7A200T-2SBG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
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EP20K400EBC652-3
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