casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXUN350N10
codice articolo del costruttore | IXUN350N10 |
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Numero di parte futuro | FT-IXUN350N10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXUN350N10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 175A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXUN350N10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXUN350N10-FT |
IXFN48N60P
IXYS
IXFN50N120SK
IXYS
IXFN64N60P
IXYS
IXFN90N30
IXYS
IXTN110N20L2
IXYS
IXTN17N120L
IXYS
IXTN200N10T
IXYS
IXTN210P10T
IXYS
IXTN240N075L2
IXYS
IXTN32P60P
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel