casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTT12N150
codice articolo del costruttore | IXTT12N150 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTT12N150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTT12N150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT12N150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTT12N150-FT |
IXFK38N80Q2
IXYS
IXFK44N50
IXYS
IXFK44N50F
IXYS-RF
IXFK44N50Q
IXYS
IXFK44N55Q
IXYS
IXFK48N50Q
IXYS
IXFK48N55
IXYS
IXFK50N50
IXYS
IXFK52N30Q
IXYS
IXFK52N60Q2
IXYS
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel