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IXYS IXTR200N10P

Name: IXTR200N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTR200N10P
Price: 8.362136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (744 reviews)

Numero parte MFG: IXTR200N10P

quantità disponibile: 21200 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.362136

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTR200N10P.pdf

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IXTR200N10P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTR200N10P
Numero di parte futuro	FT-IXTR200N10P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarP2™
IXTR200N10P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS247™
Pacchetto / caso	ISOPLUS247™
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTR200N10P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTR200N10P-FT

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